中国网财经6月13日讯(记者 刘小(xiao)菲)全球(qiu)首家实现量(liang)产8英寸硅基氮(dan)化镓晶圆的(de)公(gong)司英诺赛科计(ji)划赴港上(shang)市(shi)。
近期，英诺赛科向港交所递交招股说(shuo)明书。招股书提到，截至2023年12月31日，英诺赛科拥有全球(qiu)最大的(de)氮(dan)化镓功率半导体基地，产能达(da)到每月1万片晶圆。
2021-2023年，英诺赛科的(de)收入分别为6821.5万元(yuan)、1.36亿元(yuan)和5.93亿元(yuan)。根据弗若(ruo)斯特沙利文资(zi)料，按收入计(ji)，英诺赛科2023年在全球(qiu)所有氮(dan)化镓功率半导体公(gong)司中排(pai)名第一。
收入持续增长的(de)英诺赛科，目前仍未实现盈利。2021-2023年，英诺赛科亏损金额分别为34亿元(yuan)、22.05亿元(yuan)和11.02亿元(yuan)，合计(ji)67.07亿元(yuan)；经调整净亏损分别为10.81亿元(yuan)、12.77亿元(yuan)和10.16亿元(yuan)，合计(ji)33.74亿元(yuan)。
对于持续亏损的(de)原因，英诺赛科在招股书中提到了三个，分别是生产设备大幅折旧、大额研发(fa)开支、销售及营(ying)销开支的(de)不断增加。
2021-2023年，英诺赛科的(de)销售及营(ying)销开支分别为2840万元(yuan)、6930万元(yuan)和9010万元(yuan)；研发(fa)开支分别为6.62亿元(yuan)、5.81亿元(yuan)和3.48亿元(yuan)。英诺赛科称(cheng)，未来可能继(ji)续产生亏损，且无法保(bao)证最后会达(da)到预期的(de)盈利能力(li)。
英诺赛科在招股书中提到，截至2023年底，公(gong)司拥有397名研发(fa)人员。公(gong)司在全球(qiu)有约700项(xiang)专利和专利申请(qing)，涵(han)盖芯片设计(ji)、器件结构、晶圆制造、封装及可靠(kao)性测试等关键领域。
不过，英诺赛科招股书显示，于往绩记录期间，公(gong)司面临两名竞争对手针(zhen)对公(gong)司若(ruo)干产品潜在知识产权侵权提出的(de)三项(xiang)诉讼。目前，这(zhe)三项(xiang)诉讼事项(xiang)仍处于相对较早阶段，若(ruo)判决不利，公(gong)司可能会被(bei)禁止上(shang)产或销售侵权产品、或责令支付金钱赔偿。
据相关媒体报道(dao)，2023年，氮(dan)化镓(GaN)公(gong)司Effcient Power Conversion(EPC)向加州地区法院以(yi)及美(mei)国国际贸易(yi)委(wei)员会提起诉讼，称(cheng)英诺赛科侵犯了其四项(xiang)专利，涵(han)盖了EPC专有的(de)增强型氮(dan)化镓(GaN)功率半导体器件的(de)设计(ji)和大批量(liang)制造工(gong)艺的(de)核心方面。
英诺赛科随后发(fa)布(bu)声明，称(cheng)EPC对比英诺赛科从商业规模、业务(wu)范围到技术实力(li)上(shang)都差距悬殊，其由(you)个别员工(gong)工(gong)作变动而幻想出的(de)技术抄袭清洁属(shu)臆想行为，没有事实依据。
今年3月，英飞凌在其官网发(fa)布(bu)消息称(cheng)，为防止自己拥有的(de)与氮(dan)化镓(GaN)技术相关的(de)美(mei)国专利收到侵犯，对英诺赛科提起诉讼，且正在寻求永久禁令。涉(she)及起诉的(de)专利权利要求涵(han)盖了氮(dan)化镓(GaN)功率半导体器件的(de)核心方面，其中包括可实现英飞凌专有的(de)氮(dan)化镓(GaN)器件可靠(kao)性和性能的(de)创新。
招股书显示，业绩亏损的(de)英诺赛科，其业务(wu)发(fa)展对融资(zi)颇为依赖。2017年7月成立的(de)英诺赛科，于今年4月完成了E轮融资(zi)，融资(zi)金额为6.5亿元(yuan)；A、B、C、D轮的(de)融资(zi)金额分别为5500万元(yuan)、15.02亿元(yuan)、14.18亿元(yuan)、26.09亿元(yuan)，合计(ji)融资(zi)金额超过60亿元(yuan)。
目前，英诺赛科的(de)创始人、董事长及执行董事骆薇(wei)薇(wei)，其直(zhi)接持股比例为5.9%，间接持股比例为23.1%；其余三名执行董事则(ze)分别为Jay Hyung Son、吴金刚和钟山，年龄均在50岁(sui)以(yi)上(shang)。值得一提的(de)是，骆薇(wei)薇(wei)与Jay Hyung Son均是美(mei)国籍。