在人工智能和先进计算需求的强劲推(tui)动下，全球(qiu)半导体巨头正在掀起新一轮大规(gui)模投资热潮。近(jin)日，业界陆续传出了台积电和SK海力士未来数年的巨额投资计划。
台积电方面，周一有(you)媒体援引业界消息(xi)报道称，公司2025年资本支出有(you)望达到(dao)320亿至360亿美元，同(tong)比增长12.5%至14.3%，创(chuang)下历年次(ci)高。这一投资主要用于2nm等最先进制程的研发和产能扩充(chong)。
韩国(guo)SK海力士则计划到(dao)2028年投资高达748亿美元，其中80%将用于高带(dai)宽内存（HBM）芯片的研发和生产。
2nm需求超预期，台积电明年资本支出冲高
业内消息(xi)称，因持续加码2nm等最先进制程相关研发加上2nm后续需求超乎预期强劲，台积电2025年资本支出有(you)望达到(dao)320亿美元至360亿美元区间，为历年次(ci)高，年增12.5%至14.3%。
据悉，台积电计划在2025年实现2nm制程量产，量产曲线预计与3nm类似。
此前(qian)有(you)媒体报道称，为了满足台积电2nm制程的量产，设备厂正如(ru)火(huo)如(ru)荼交(jiao)机，尤其是EUV光刻机，预计今明两年共将交(jiao)付超过60台EUV，总投资金额超过4000亿元（约合550亿美元）。
客户方面，值得注意的是，除了苹(ping)果公司率先预定首(shou)批(pi)2nm产能外，其他非苹(ping)果客户也(ye)因AI需求旺盛(sheng)而积极采用该技术。
对该传闻，台积电不做评论(lun)，并重申了有(you)关资本支出和2nm技术的进展，以4月(yue)法说会(hui)内容为主。
当时，台积电强调，资本支出和产能规(gui)划是基于长期的结构性市场需求。2024年资本支出预计将介于280亿至320亿美元之间。
报道还称，台积电正在按(an)计划扩大先进制程的产能：
其台南3nm工厂将于今年第三季度进入量产阶段，明年P8工厂也(ye)将陆续导入EUV光刻机。与此同(tong)时，新竹(zhu)宝山2nm工厂在未来三年将保持EUV设备的强劲拉货动能，高雄2nm工厂的建(jian)设也(ye)在同(tong)步进行中。
SK海力士：向(xiang)HBM投资600亿美元
全球(qiu)第二大内存芯片制造商(shang)韩国(guo)SK海力士公司公布了雄心勃勃的投资计划。
周日，SK海力士宣布，计划到(dao)2028年投资高达103万(wan)亿韩元（约合748亿美元），其中80%（约为600亿美元）将用于HBM芯片的研发和生产。
SK海力士在HBM技术领域一直处(chu)于领先地(di)位，今年3月(yue)，SK海力士开始大规(gui)模量产HBM3E芯片，并将下一代HBM4芯片的量产时间提前(qian)到(dao)2025年。
作为SK海力士押(ya)注AI的一部分，SK电信公司和SK宽带(dai)公司还将在数据中心业务上投资3.4万(wan)亿韩元，进一步完善集(ji)团的AI生态系统(tong)。
虽然这是SK海力士首(shou)次(ci)披露到(dao)2028年的投资计划，但(dan) SK 海力士今年已宣布了一系列投资计划，包括在美国(guo)印第安纳(na)州投资38.7亿美元建(jian)设先进封装(zhuang)工厂和 AI 产品研究中心，并在韩国(guo)本土(tu)投资146亿美元建(jian)设新的内存芯片综(zong)合体。
鉴于蓬勃增长的AI芯片需求，SK海力士计划，到(dao)2026年通(tong)过运营(ying)和业务改革创(chuang)造80万(wan)亿韩元的收(shou)入。
此外，SK海力士计划在三年内确保30万(wan)亿韩元的自由现金流(liu)，以将其债务权益比控制在100%以下。尽管去年集(ji)团亏损10万(wan)亿韩元，但(dan)预计今年的税前(qian)利(li)润将达到(dao)22万(wan)亿韩元，并计划在2026年将这一数字提高到(dao)40万(wan)亿韩元。
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