科技日报合肥7月16日电(dian) (记者吴长锋)记者16日从安徽大(da)学获悉，该校杜海峰(feng)教授带领新型拓(tuo)扑磁性材料与存储器件团队，运用聚焦离子束微纳器件制备技术(shu)，制备出了(le)世界(jie)上最小尺寸的斯格明子赛(sai)道器件单元。该单元赛(sai)道宽度(du)为100纳米，实现了(le)纳秒电(dian)脉冲驱动下，100纳米宽度(du)赛(sai)道中80纳米磁斯格明子一维(wei)、稳定、高效的运动，为构筑高密度(du)、高速度(du)、可靠的新型拓(tuo)扑磁电(dian)子学器件提供了(le)重要支撑(cheng)。相(xiang)关研究成(cheng)果(guo)日前(qian)发表在《自然·通讯》上。

作为一种非(fei)平庸拓(tuo)扑特性的磁结构，磁斯格明子因具有尺寸小、稳定性高、电(dian)流易操控等(deng)优点，有望(wang)作为下一代数据载体(ti)，用于构筑新型的磁电(dian)子学器件。实现电(dian)流驱动下磁斯格明子在纳米赛(sai)道中稳定、可控的运动，是器件构筑中最核心的问题之一。

研究团队发展了(le)器件结构单元聚焦离子束加工制备技术(shu)，设计制备出厚度(du)均匀、边界(jie)表面平整、非(fei)晶层厚度(du)小于两(liang)纳米的高质量纳米条带。其宽度(du)为目前(qian)报道的最小尺寸。研究人员还研制了(le)透射(she)电(dian)镜原位加电(dian)芯片，扩展了(le)洛伦兹透射(she)电(dian)镜原位加电(dian)功能。通过控制电(dian)流脉冲宽度(du)及电(dian)流密度(du)，利用赛(sai)道边界(jie)的边缘态磁结构稳定斯格明子运动，研究团队实现了(le)单个80纳米大(da)小的磁斯格明子在100纳米赛(sai)道中的一维(wei)、稳定运动。

研究人员表示，他们的研究展示了(le)纳米赛(sai)道中磁斯格明子高速、稳定的运动特性，为基于磁斯格明子器件的构筑奠定了(le)基础。（科技日报）

【编辑:李岩】