工信部就(jiu)《光伏制造行(xing)业规范条件（2024年本）》《光伏制造行(xing)业规范公告管(guan)理办法（2024年本）》（征(zheng)求意见稿）公开征(zheng)求意见。《光伏制造行(xing)业规范条件（2024年本）》中提到，光伏制造项目电耗(hao)应(ying)满(man)足以下要求：

1.现有多(duo)晶硅项目还原电耗(hao)小于46千瓦时/千克，综合电耗(hao)小于60千瓦时/千克；新建和改(gai)扩建项目还原电耗(hao)小于44千瓦时/千克，综合电耗(hao)小于57千瓦时/千克。

2.现有硅锭(ding)项目平均综合电耗(hao)小于7.5千瓦时/千克，新建和改(gai)扩建项目小于6.5千瓦时/千克；如采(cai)用多(duo)晶铸(zhu)锭(ding)炉生(sheng)产准单晶或高效(xiao)多(duo)晶产品，项目平均综合电耗(hao)的增加(jia)幅度不得超(chao)过(guo)0.5千瓦时/千克。

3.现有硅棒项目平均综合电耗(hao)小于26千瓦时/千克，新建和改(gai)扩建项目小于23千瓦时/千克。

4.现有多(duo)晶硅片(pian)项目平均综合电耗(hao)小于25万千瓦时/百万片(pian)，新建和改(gai)扩建项目小于20万千瓦时/百万片(pian)；现有单晶硅片(pian)项目平均综合电耗(hao)小于10万千瓦时/百万片(pian)，新建和改(gai)扩建项目小于8万千瓦时/百万片(pian)。

5.P型晶硅电池项目平均综合电耗(hao)小于5万千瓦时/MWp，N型晶硅电池项目平均综合电耗(hao)小于7万千瓦时/MWp。

6.晶硅组件项目平均综合电耗(hao)小于2.5万千瓦时/MWp，薄膜组件项目平均电耗(hao)小于40万千瓦时/MWp。