中信(xin)证券研报(bao)指(zhi)出，以碳化(hua)硅(gui)为代表的第三代半导体具有禁带宽度大、饱和电子漂(piao)移速率高(gao)、击穿电场(chang)高(gao)、热导率高(gao)等特点，是半导体产业未(wei)来发展的重要方(fang)向。碳化(hua)硅(gui)衬(chen)底位于碳化(hua)硅(gui)产业链的核心(xin)上(shang)游，采用碳化(hua)硅(gui)功率器件的高(gao)压快充(chong)新能源汽车(che)更能适(shi)应其增加(jia)续航里程(cheng)、缩(suo)短充(chong)电时间和提(ti)升(sheng)电池容量等需求，预(yu)计将成为未(wei)来的主流选择(ze)，驱动碳化(hua)硅(gui)衬(chen)底需求进(jin)一步增长。